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NTMD6N04R2G

Mfr# NTMD6N04R2G
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
RoHS 상태 무연 / RoHS 준수
추가 정보 AMI Semiconductor / ON Semiconductor NTMD6N04R2G에 대한 자세한 정보
사양서 NTMD6N04R2G.pdf

기술

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메시지
제품 모델 NTMD6N04R2G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양 3987 pcs
사양서 NTMD6N04R2G.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대) 3V @ 250µA
제조업체 장치 패키지 8-SOIC
연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 34 mOhm @ 5.8A, 10V
전력 - 최대 1.29W
포장 Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들 NTMD6N04R2GOSCT
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 32V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss) 40V
상세 설명 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 4.6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.6A
기본 부품 번호 NTMD6N04

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