IPB80N06S2H5ATMA1

Mfr#	IPB80N06S2H5ATMA1
Mfr.	International Rectifier (Infineon Technologies)
기술	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
RoHS 상태	무연 / RoHS 준수
추가 정보	International Rectifier (Infineon Technologies) IPB80N06S2H5ATMA1에 대한 자세한 정보

사양서	IPB80N06S2H5ATMA1.pdf

기술

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~~유품:~~5264 pcs
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제품 매개 변수
관련 상품

제품 모델	IPB80N06S2H5ATMA1
제조사	International Rectifier (Infineon Technologies)
기술	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	5264 pcs
사양서	IPB80N06S2H5ATMA1.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)	4V @ 230µA
Vgs (최대)	±20V
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	PG-TO263-3-2
연속	OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	5.2 mOhm @ 80A, 10V
전력 소비 (최대)	300W (Tc)
포장	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들	IPB80N06S2-H5 IPB80N06S2-H5-ND IPB80N06S2H5ATMA1TR SP000218162
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	4400pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	155nC @ 10V
FET 유형	N-Channel
FET 특징	-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)	55V
상세 설명	N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	80A (Tc)