고속 게이트 드라이버 IC

ROHM은 600V 클래스 GAN HEMTS (높은 전자 이동성 트랜지스터)를 구동하기 위해 특별히 구축 된 새로운 고립 된 게이트 드라이버 IC 인 BM6GD11BFJ-LB를 공개했습니다.이 IC는 효율성과 소형화가 핵심 인 모터 및 서버 전원 공급 장치와 같은 고주파 고속 스위치 애플리케이션을 목표로합니다.

주요 기능은 다음과 같습니다.

게이트 구동 전압 범위 : 4.5V ~ 6.0V
분리 전압 : 2500VRMS
650V ECOGAN ™ 시리즈를 포함하여 광범위한 고전압 간 헴트와 호환됩니다.
최소 펄스 폭
스위칭 전력 손실을 크게 줄입니다
초저 출력 측 전류 소비 : 0.5mA Max
대기 전원을 낮추고 시스템 효율성을 높이는 데 도움이됩니다
에너지 절약이 전 세계의 우선 순위 (특히 전세계 전기의 약 97%를 소비하는 모터 및 전원 공급 장치에서 GAN 및 SIC와 같은 넓은 밴드 갭 장치로의 전환이 중요합니다.이 장치는 전력 변환의 우수한 효율성으로 유명합니다.독점 온칩 분리 기술을 통합하여 기생 커패시턴스를 최소화하고 최대 2MHz의 작동을 가능하게합니다.이는 운전자가 Gan의 속도를 최대한 활용하고 주변 구성 요소의 크기를 줄일 수 있음을 의미합니다.

강력하고 안정적인 성능을 보장하기 위해 IC는 150V/NS의 CMTI를 자랑하며, 이는 이전 세대 드라이버보다 1.5 배 더 좋습니다.이는 GAN 시스템의 일반적인 문제인 빠른 전압 전환으로 인한 전기 노이즈에 대한 저항력이 있음을 의미합니다.BM6GD11BFJ-LB는 Digikey 및 Mouser와 같은 유통 업체를 통해 이미 구입할 수 있으며 샘플 가격은 $ 4.00 (세금 제외)입니다.

이 게이트 드라이버 IC는 광범위한 응용 프로그램에 이상적입니다.산업 부문에서는 PV 인버터, 에너지 저장 시스템 (ESS), 기지국 및 산업 모터에 적합합니다.소비자 측면에서 AC 어댑터, 개인용 컴퓨터, 텔레비전, 에어컨 및 냉장고에서 효율적인 작동을 지원합니다.