SIC MOSFET 보호를위한 TVS 다이오드

TVS Diode Series는 SIC MOSFET 게이트 드라이버에 대한 단일 구성 요소 보호, EV 시스템에서 디자인을 단순화하고 과전압 보호를 개선합니다.

Littelfuse, Inc.는 TPSMB 비대칭 TVS 다이오드 시리즈의 출시를 발표했습니다.이 회사는이 제품이 자동차 애플리케이션에서 실리콘 카바이드 (SIC) MOSFET 게이트 드라이버를 보호하기 위해 명시 적으로 설계된 최초의 비대칭 과도 전압 억제 (TVS) 다이오드라고 주장합니다.이 다이오드는 전기 자동차 (EV) 시스템에서 과전압 보호의 필요성을 해결하며, 게이트 드라이버 보호에 이전에 사용 된 다중 제너 다이오드 또는 TV 구성 요소를 대체하는 단일 성분 솔루션을 제공합니다.

TPSMB 비대칭 TVS 다이오드 시리즈는 기존의 실리콘 기반 MOSFET 또는 IGBT에 비해 더 빠른 전환 속도로 인해 과전압 이벤트에 취약한 SIC MOSFET 게이트 드라이버를 보호합니다.비대칭 디자인은 SIC MOSFET의 다른 양의 및 네거티브 게이트 드라이버 전압 등급을 수용하여 OBC (Onboard Chargers), EV 트랙션 인버터, I/O 인터페이스 및 VCC 버스와 같은 자동차 전원 응용 프로그램의 성능을 보장합니다.이러한 응용 프로그램은 성능, 내구성 및 효율성을 유지하기 위해 과전압 보호가 필요합니다.

TPSMB 비대칭 시리즈 Surface-Mount TVS Diode는 자동차 애플리케이션에서 SIC MOSFET 게이트 드라이버를 보호하기위한 몇 가지 기능을 제공합니다.한 가지 장점은 단일 구성 요소 SIC MOSFET 게이트 드라이버 보호를 제공하여 여러 제너 또는 TVS 다이오드의 필요성을 제거하고 구성 요소 수를 줄이는 능력입니다.다이오드는 비대칭 게이트 드라이버 전압 보호를 위해 설계되어 SIC MOSFET의 다른 음의 및 양수 전압 등급을 다루고 있습니다.

다이오드는 DO-214AA 패키지로 제공되며 우주 제한 자동차 설계에 적합합니다.AEC-Q101- 자격이되어 자동차 애플리케이션의 신뢰성을 보장합니다.TPSMB 비대칭 시리즈는 최대 600W 피크 펄스 전력 소산의 전력 소산 기능으로 보호를 제공하여 일시적 과전압 이벤트로 효과적으로 보호합니다.다이오드는 또한 낮은 클램핑 전압을 특징으로하며 음의 게이트 드라이브를 보호합니다.

Littelfuse의 제품 관리, 보호 비즈니스 책임자 인 Charlie Cai는이 제품이 자동차 엔지니어에게 제공하는 가치를 강조합니다.엔지니어를위한 설계 프로세스.작고 신뢰할 수있는 설계를 통해 중요한 자동차 전원 시스템은 과전압 이벤트로부터 보호되어 전기 자동차의 지속적인 발전 및 기타 고성능 응용 프로그램을 지원합니다.”