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TC58BVG2S0HBAI4

Mfr#	TC58BVG2S0HBAI4
Mfr.	Toshiba Memory America, Inc.
기술	IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
RoHS 상태	무연 / RoHS 준수
추가 정보	Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG2S0HBAI4에 대한 자세한 정보

사양서	TC58BVG2S0HBAI4.pdf

기술

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제품 매개 변수
관련 상품

제품 모델	TC58BVG2S0HBAI4
제조사	Toshiba Memory America, Inc.
기술	IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	9631 pcs
사양서	TC58BVG2S0HBAI4.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지	25ns
전압 - 공급	2.7 V ~ 3.6 V
과학 기술	FLASH - NAND (SLC)
제조업체 장치 패키지	63-TFBGA (9x11)
연속	Benand™
포장	Tray
패키지 / 케이스	63-VFBGA
다른 이름들	ASTC58BVG2S0HBAI4 TC58BVG2S0HBAI4JDH TC58BVG2S0HBAI4YCL TC58BVG2S0HBAIJDH
작동 온도	-40°C ~ 85°C (TA)
실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	3 (168 Hours)
메모리 유형	Non-Volatile
메모리 크기	4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스	Parallel
메모리 형식	FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
상세 설명	FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 63-TFBGA (9x11)
액세스 시간	25ns